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FDG6303N 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

FDG6303N 系列 25 V 0.45 Ohm 双表面贴装 N 沟道数字 FET - SC70-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDG6303N 数据手册 (21 页)

封装尺寸在1 页

FDG6303N 数据手册 (21 页)

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FDG6303N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.34 Ω

功耗

300 mW

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

25 V

上升时间

8.5 ns

输入电容值(Ciss)

50pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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FDG6303N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDG6303N 符合标准

FDG6303N 概述

FDG6303N 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

21 页 / 0.42 MByte

FDG6303N 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.45 MByte

FDG6303N 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 2.07 MByte

FDG6303N 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.05 MByte

FDG6303N 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 1.07 MByte

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