器件3D模型

￥ 0

FDG6303N_Q 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDG6303N_Q 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDG6303N_Q 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SC-70-6

极性

N-CH

功耗

300 mW

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

0.5A

上升时间

8.5 ns

下降时间

8.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

FDG6303N_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

1.1 mm

查看数据手册 >

FDG6303N_Q 符合标准

FDG6303N_Q 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.39 MByte

FDG6303 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

双N通道FET数字 Dual N-Channel, Digital FET

FDG6303N 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6303N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 500 mA, 25 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 800 mV

FDG6303N 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDG6303N 系列 25 V 0.45 Ohm 双表面贴装 N 沟道数字 FET - SC70-6

FDG6303N-F169 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDG6303N_D87Z 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDG6303N_Q 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDG6303N_D87Z 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号