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FDG6317NZ
器件3D模型
5.621
FDG6317NZ 数据手册 (9 页)
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FDG6317NZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
700 mA
封装
SC-70-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.3 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
300 mW
阈值电压
1.2 V
输入电容
66.5 pF
栅电荷
760 pC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
700 mA
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
66.5pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
300 mW
下降时间
2.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.3 W

FDG6317NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDG6317NZ 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.33 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte

FDG6317 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDG6317NZ, 700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6317NZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.2 V
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