器件3D模型

￥ 1

FDG6318P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-70-6

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si P沟道 MOSFET FDG6318P, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDG6318P 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDG6318P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-70-6

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

83pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

下降时间

1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

查看数据手册 >

FDG6318P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

End of Life

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FDG6318P 符合标准

FDG6318P 概述

FDG6318P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.11 MByte

FDG6318P 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

15 页 / 0.72 MByte

FDG6318 数据手册

FDG6318P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FET，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDG6318PZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDG6318PZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET FDG6318PZ, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装

FDG6318P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si P沟道 MOSFET FDG6318P, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装

FDG6318P_NL 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDG6318P 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号