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FDMA291P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

QFN-6

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA291P, 6.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDMA291P 数据手册 (2 页)

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FDMA291P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

QFN-6

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.036 Ω

功耗

2.4 W

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

1000pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.4 W

FDMA291P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDMA291P 符合标准

FDMA291P 概述

FDMA291P 数据手册

FDMA291P 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.13 MByte

FDMA291P 产品描述及参数

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.24 MByte

FDMA291P 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.65 MByte

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