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FDMA410NZT
0.316
FDMA410NZT 数据手册
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FDMA410NZT 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
UDFN
功耗
2.4 W
上升时间
3 ns
输入电容值(Ciss)
935pF @10V(Vds)
下降时间
3.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2400 mW

FDMA410NZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

FDMA410NZT 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.01 MByte

FDMA410 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA410NZ  场效应管, MOSFET, N沟道, 9.5A, 20V
ON Semiconductor(安森美)
FDMA410NZT: 超薄 N 沟道,1.5 V,PowerTrench? MOSFET,20V,9.5A,23mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
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