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FDMB3900AN
0.257

FDMB3900AN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerWDFN-8
极性
N-CH
功耗
1.6 W
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
7A
上升时间
3 ns
输入电容值(Ciss)
890pF @13V(Vds)
额定功率(Max)
800 mW
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1600 mW

FDMB3900AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
0.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMB3900AN 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.23 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.24 MByte

FDMB3900 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 25 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
nullDual N沟道功率Trench® MOSFETTM 25 V , 7.0 A, 23英里© nullDual N-Channel Power Trench® MOSFETTM 25 V, 7.0 A, 23 mΩ
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