￥ 0.458

FDMB3900AN 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

PowerWDFN-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 25 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDMB3900AN 数据手册

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FDMB3900AN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerWDFN-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.019 Ω

功耗

1.6 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

25 V

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

650pF @13V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1600 mW

FDMB3900AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMB3900AN 符合标准

FDMB3900AN 概述

FDMB3900AN 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）

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