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FDMC7672S
0.479
FDMC7672S 数据手册 (8 页)
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FDMC7672S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
DFN-3
功耗
2.3 W
输入电容
1895 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
4 ns
输入电容值(Ciss)
1895pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.3 W
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
36 W

FDMC7672S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.3 mm
宽度
3.3 mm
高度
0.75 mm

FDMC7672S 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.33 MByte

FDMC7672 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FDMC7672: 30V N沟道PowerTrench? MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7672S, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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