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FDMC8010ET30
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FDMC8010ET30 数据手册 (7 页)
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FDMC8010ET30 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
483AW
针脚数
8 Position
功耗
2.8 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
7.5 ns
输入电容值(Ciss)
4405pF @15V(Vds)
下降时间
5.3 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2800 mW

FDMC8010ET30 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

FDMC8010ET30 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.4 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.58 MByte

FDMC8010 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8010, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 174 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 1.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
FDMC8010DC: N 沟道 Dual CoolTM 33 PowerTrench MOSFET 30V,157A,1.28mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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