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FDMC86160ET100 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

QFN

描述:

晶体管, MOSFET, 屏蔽栅极, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0112 ohm, 10 V, 2.9 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDMC86160ET100 数据手册 (7 页)

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FDMC86160ET100 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

QFN

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0112 Ω

功耗

65 W

阈值电压

2.9 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

3.6 ns

输入电容值(Ciss)

968pF @50V(Vds)

下降时间

3.4 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2800 mW

FDMC86160ET100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃

FDMC86160ET100 符合标准

FDMC86160ET100 数据手册

FDMC86160ET100 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.28 MByte

FDMC86160ET100 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

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