器件3D模型

￥ 0.553

FDMC86262P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

QFN

描述:

FDMC86262P 系列 -150 V -2A 307 mOhm P-沟道 PowerTrench Mosfet - Power33

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDMC86262P 数据手册 (8 页)

FDMC86262P 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

QFN

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.241 Ω

功耗

2.3 W

输入电容

632 pF

上升时间

2.2 ns

输入电容值(Ciss)

632pF @75V(Vds)

下降时间

5.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2300 mW

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FDMC86262P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

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FDMC86262P 符合标准

FDMC86262P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.36 MByte

FDMC86262P 其他数据使用手册

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