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FDMC86570LET60
1.403
FDMC86570LET60 数据手册 (7 页)
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FDMC86570LET60 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
QFN
功耗
2.8 W
上升时间
6.2 ns
输入电容值(Ciss)
4790pF @30V(Vds)
下降时间
3.9 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2800 mW

FDMC86570LET60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃

FDMC86570LET60 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.27 MByte

FDMC86570 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86570L, 56 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 33封装
ON Semiconductor(安森美)
表面贴装型 N 通道 60V 18A(Ta),87A(Tc) 2.8W(Ta),65W(Tc) Power33
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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