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FDMC89521L
0.98
FDMC89521L 数据手册 (7 页)
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FDMC89521L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Power-33-8
通道数
2 Channel
漏源极电阻
17 mΩ
极性
N-CH
功耗
1.9 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
8.2A
上升时间
2.1 ns
输入电容值(Ciss)
1635pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
800 mW
下降时间
1.7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.9 W

FDMC89521L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
0.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMC89521L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.34 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.36 MByte

FDMC89521 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC89521L, 8.2 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 33封装
Fairchild(飞兆/仙童)
60V,8.2A,双N沟道PowerTrench? MOSFET
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