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FDMD8240LET40
1.967
FDMD8240LET40 数据手册 (8 页)
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FDMD8240LET40 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
12 Pin
封装
QFN
针脚数
12 Position
漏源极电阻
0.002 Ω
功耗
50 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
40 V
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
3020pF @20V(Vds)
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50000 mW

FDMD8240LET40 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

FDMD8240LET40 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.47 MByte

FDMD8240 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, 双N沟道, 103 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, 双N沟道, 98 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMD8240LET40  双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, 双N沟道, 103 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V 新
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMD8240L  双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, 双N沟道, 98 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V 新
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