器件3D模型

￥ 1.412

FDMD8530 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

QFN-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 电源沟槽, 双N沟道, 201 A, 30 V, 770 µohm, 10 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDMD8530 数据手册 (11 页)

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FDMD8530 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

QFN-8

针脚数

8 Position

功耗

2.2 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

7425pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.2 W

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2200 mW

FDMD8530 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMD8530 符合标准

FDMD8530 数据手册

FDMD8530 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.64 MByte

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