FDMD86100

￥ 2.293

FDMD86100 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

QFN

描述:

FDMD86100: 双 N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench? MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDMD86100 数据手册 (7 页)

或点击图片查看大图

FDMD86100 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

QFN

功耗

2.2 W

上升时间

4.3 ns

输入电容值(Ciss)

1469pF @50V(Vds)

下降时间

4.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2200 mW

FDMD86100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

FDMD86100 符合标准

FDMD86100 数据手册

FDMD86100 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.28 MByte

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