￥ 0.817

FDMD8680 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

PowerWDFN-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, PowerTrench, 双N沟道, 66 A, 80 V, 0.0033 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDMD8680 数据手册 (8 页)

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FDMD8680 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerWDFN-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0033 Ω

功耗

39 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

80 V

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

3805pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

39 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2300 mW

FDMD8680 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMD8680 符合标准

FDMD8680 海关信息

FDMD8680 数据手册

FDMD8680 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.47 MByte

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