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FDME410NZT 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

517DV

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 700 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDME410NZT 数据手册 (7 页)

FDME410NZT 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

6 Pin

封装

517DV

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.019 Ω

功耗

2.1 W

阈值电压

700 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

3.4 ns

输入电容值(Ciss)

770pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

3.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2100 mW

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FDME410NZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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FDME410NZT 符合标准

FDME410NZT 概述

FDME410NZT 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.22 MByte

FDME410NZT 其他数据使用手册

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9 页 / 0.33 MByte

FDME410NZT 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

14 页 / 0.18 MByte

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