￥ 0.584

FDMS3604S 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

PowerTDFN-8

描述:

FDMS3604S: 不对称双 N 沟道，PowerTrench 功率级 MOSFET，30V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDMS3604S 数据手册 (16 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDMS3604S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerTDFN-8

漏源极电压(Vds)

30 V

输入电容值(Ciss)

1785pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

FDMS3604S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Discontinued at Digi-Key

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMS3604S 符合标准

FDMS3604S 数据手册

FDMS3604S 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

16 页 / 0.59 MByte

FDMS3604 数据手册

FDMS3604AS 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDMS3604S 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDMS3604S: 不对称双 N 沟道，PowerTrench 功率级 MOSFET，30V

FDMS3604S 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDMS3604AS 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号