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FDMS3606AS
0.879
FDMS3606AS 数据手册 (2 页)
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FDMS3606AS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerTDFN-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0058 Ω
功耗
1 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
1695pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

FDMS3606AS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMS3606AS 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 1 MByte

FDMS3606 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS3606AS  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
FDMS3606S: 不对称双 N 沟道,PowerTrench 功率级 MOSFET,30V
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