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FDMS3606S 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

PowerTDFN-8

描述:

FDMS3606S: 不对称双 N 沟道，PowerTrench 功率级 MOSFET，30V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDMS3606S 数据手册 (16 页)

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FDMS3606S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

PowerTDFN-8

漏源极电压(Vds)

30 V

输入电容值(Ciss)

1785pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

FDMS3606S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMS3606S 符合标准

FDMS3606S 概述

FDMS3606S 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）

16 页 / 0.56 MByte

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