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FDMS4435BZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

Power-56-8

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS4435BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1.9 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDMS4435BZ 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页

FDMS4435BZ 数据手册 (9 页)

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FDMS4435BZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

Power-56-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.015 Ω

极性

P-Channel

功耗

39 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

2050pF @15V(Vds)

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

39 W

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FDMS4435BZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

6 mm

高度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDMS4435BZ 符合标准

FDMS4435BZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.43 MByte

FDMS4435BZ 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

11 页 / 0.44 MByte

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