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FDMS7650DC
2.969
FDMS7650DC 数据手册 (8 页)
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FDMS7650DC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PQFN
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0006 Ω
功耗
3.3 W
阈值电压
1.9 V
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
28 ns
输入电容值(Ciss)
11100pF @15V(Vds)
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
125 W

FDMS7650DC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4.85 mm
高度
1.04 mm

FDMS7650DC 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.35 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.17 MByte

FDMS7650 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7650  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
FDMS7650 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7650DC  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 30 V, 0.0006 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7650DC, 289 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET PowerTrench® 30 V , 100 A , 0.99 MI © N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 100 A, 0.99 mΩ
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