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FDMS7660AS
器件3D模型
0.764
FDMS7660AS 数据手册
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FDMS7660AS 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
PQFN-8
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
4600pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

FDMS7660AS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDMS7660AS 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.5 MByte

FDMS7660 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7660, 144 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
ON Semiconductor(安森美)
FDMS7660AS: N 沟道,PowerTrench SyncFET,30V,42A,2.4mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Osram Opto(欧司朗)
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