Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FDMS7660AS Datasheet 文档
FDMS7660AS
0.774
FDMS7660AS 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDMS7660AS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Power-56-8
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.0019 Ω
极性
N-Channel
功耗
83 W
阈值电压
1.9 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
26A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
6120pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)

FDMS7660AS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
6 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMS7660AS 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.46 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.53 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.16 MByte

FDMS7660 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7660, 144 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
ON Semiconductor(安森美)
FDMS7660AS: N 沟道,PowerTrench SyncFET,30V,42A,2.4mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Osram Opto(欧司朗)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z