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FDMS7670AS 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

Power-56

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7670AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDMS7670AS 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

FDMS7670AS 数据手册 (10 页)

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FDMS7670AS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

Power-56

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0024 Ω

极性

N-Channel

功耗

65 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

22A

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

4225pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 65W (Tc)

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FDMS7670AS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5 mm

宽度

6 mm

高度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDMS7670AS 符合标准

FDMS7670AS 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.68 MByte

FDMS7670AS 其他数据使用手册

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15 页 / 0.56 MByte

FDMS7670AS 产品修订记录

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2 页 / 0.16 MByte

FDMS7670 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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