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FDMS8350L
2.29
FDMS8350L 数据手册 (7 页)
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FDMS8350L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Power-56-8
极性
N-CH
功耗
2.7W (Ta), 113W (Tc)
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
47A
输入电容值(Ciss)
17500pF @20V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.7W (Ta), 113W (Tc)

FDMS8350L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.1 mm
宽度
6.25 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMS8350L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.29 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.33 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.02 MByte

FDMS8350 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8350L, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FDMS8350LET40: N 沟道,PowerTrench MOSFET,40V,300A,0.85mΩ
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