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FDMS86101DC
2.532
FDMS86101DC 数据手册 (9 页)
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FDMS86101DC 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
PowerTDFN-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.006 Ω
功耗
3.2 W
阈值电压
2.7 V
输入电容
3135 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
8.2 ns
输入电容值(Ciss)
2354pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
3.2 W
下降时间
5.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3200 mW

FDMS86101DC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

FDMS86101DC 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.37 MByte

FDMS86101 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86101  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.9 V
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.006 ohm, 10 V, 2.7 V
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86101A, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86101A  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 3.1 V
ON Semiconductor(安森美)
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