￥ 1.234

FDMS86102LZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

PowerTDFN-8

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86102LZ, 37 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDMS86102LZ 数据手册 (7 页)

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FDMS86102LZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerTDFN-8

功耗

2.5 W

输入电容

979 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

2.6 ns

输入电容值(Ciss)

979pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

2.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

69 W

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FDMS86102LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5 mm

宽度

6 mm

高度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDMS86102LZ 符合标准

FDMS86102LZ 概述

FDMS86102LZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.23 MByte

FDMS86102LZ 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.3 MByte

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FDMS86102LZ 数据手册

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