￥ 2.311

FDMS86150ET100 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

Power-56-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDMS86150ET100 数据手册 (7 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDMS86150ET100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

Power-56-8

极性

N-CH

功耗

3.3W (Ta), 187W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

16A

输入电容值(Ciss)

4065pF @50V(Vds)

耗散功率(Max)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

查看数据手册 >

FDMS86150ET100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

FDMS86150ET100 符合标准

FDMS86150ET100 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.31 MByte

FDMS86150ET100 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.5 MByte

FDMS86150 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 3 V

FDMS86150 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDMS86150ET100 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

N沟道 100V 128A

FDMS86150ET100 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FDMS86150A 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号