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FDMT800100DC 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

PQFN-8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

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焊盘图

引脚图

产品图

FDMT800100DC 数据手册 (8 页)

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FDMT800100DC 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

PQFN-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0023 Ω

功耗

156 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

18 ns

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

FDMT800100DC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDMT800100DC 符合标准

FDMT800100DC 数据手册

FDMT800100DC 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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FDMT800100 数据手册

FDMT800100DC 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V

FDMT800100DC 数据手册

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