￥ 3.822

FDMT800120DC 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

QFN

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 128 A, 120 V, 0.00345 ohm, 10 V, 3.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDMT800120DC 数据手册 (8 页)

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FDMT800120DC 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

QFN

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.00345 Ω

功耗

156 W

阈值电压

3.1 V

漏源极电压(Vds)

120 V

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

5605pF @60V(Vds)

下降时间

9.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3200 mW

FDMT800120DC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDMT800120DC 符合标准

FDMT800120DC 概述

FDMT800120DC 数据手册

FDMT800120DC 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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FDMT800120 数据手册

FDMT800120DC 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 128 A, 120 V, 0.00345 ohm, 10 V, 3.1 V

FDMT800120DC 数据手册

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