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FDP032N08B_F102
1.62
FDP032N08B_F102 数据手册 (10 页)
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FDP032N08B_F102 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
263 W
阈值电压
4.5 V
漏源极电压(Vds)
80 V
连续漏极电流(Ids)
211A
上升时间
44 ns
输入电容值(Ciss)
10965pF @40V(Vds)
额定功率(Max)
263 W
下降时间
31 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
263W (Tc)

FDP032N08B_F102 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.36 mm
宽度
4.672 mm
高度
15.215 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDP032N08B_F102 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.65 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.13 MByte

FDP032N08 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP032N08  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 3.5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08, 235 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FDP032N08: N 沟道,PowerTrench MOSFET,75V,235A,3.2mΩ
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08B_F102, 211 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild(飞兆/仙童)
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