￥ 1.367

FDP047N08-F102 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-220-3

描述:

FDP047N08: N 沟道，PowerTrench MOSFET，75V，164A，4.7mΩ

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDP047N08-F102 数据手册

暂未收录 FDP047N08-F102 的数据手册

登录以发送补充文档请求

FDP047N08-F102 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

上升时间

147 ns

输入电容值(Ciss)

7080pF @25V(Vds)

下降时间

114 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

268000 mW

FDP047N08-F102 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

FDP047N08-F102 符合标准

FDP047N08-F102 数据手册

FDP047N08-F102 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

0 页 / 0.68 MByte

FDP047N08 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDP047N08 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N08, 164 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装

FDP047N08-F102 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDP047N08: N 沟道，PowerTrench MOSFET，75V，164A，4.7mΩ

FDP047N08-F102 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号