￥ 2.474

FDP047N10 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FDP047N10: 功率 MOSFET，N 沟道，QFET，100 V，164 A，4.7 mΩ，TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDP047N10 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FDP047N10 数据手册 (8 页)

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FDP047N10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

375 W

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

386 ns

输入电容值(Ciss)

15265pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

375 W

下降时间

244 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375000 mW

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FDP047N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

材质

Silicon

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FDP047N10 符合标准

FDP047N10 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.78 MByte

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