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FDP047N10
3.166
FDP047N10 数据手册 (8 页)
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FDP047N10 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.0039 Ω
极性
N-Channel
功耗
375 W
阈值电压
3.5 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
164A
输入电容值(Ciss)
15265pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
375 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
375000 mW

FDP047N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDP047N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.78 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.88 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

FDP047 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP047AN08A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FDP047AN08A0 系列 75 V 4.7 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-220AB
ON Semiconductor(安森美)
FDP047N10: 功率 MOSFET,N 沟道,QFET,100 V,164 A,4.7 mΩ,TO-220
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N08, 164 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor(安森美)
FDP047N08: N 沟道,PowerTrench MOSFET,75V,164A,4.7mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道UltraFET沟槽MOSFET 75V , 80A , 4.7mз N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
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