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FDP085N10A_F102
1.542
FDP085N10A_F102 数据手册 (9 页)
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FDP085N10A_F102 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
7.35 mΩ
极性
N-CH
功耗
188 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
96A
上升时间
22 ns
输入电容值(Ciss)
2695pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
188 W
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
188 W

FDP085N10A_F102 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.672 mm
高度
15.215 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FDP085N10A_F102 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.64 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.31 MByte

FDP085N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET PowerTrench® 100V , 96A , 8.5MI © N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 96A, 8.5mΩ
Freescale(飞思卡尔)
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