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FDP15N40
0.998
FDP15N40 数据手册 (8 页)
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FDP15N40 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.24 Ω
极性
N-Channel
功耗
170 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
400 V
连续漏极电流(Ids)
15A
上升时间
55 ns
输入电容值(Ciss)
1750pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
170 W
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
170W (Tc)

FDP15N40 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDP15N40 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.55 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.55 MByte

FDP15 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP150N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 57 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
15A , 500V , 0.38 Ohm的N通道开关电源功率MOSFET 15A, 500V, 0.38 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
650V N沟道MOSFET 650V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
FDP150N10: N 沟道,PowerTrench MOSFET,100V,57A,15mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP15N40  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 400 V, 0.24 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP15N40, 15 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET PowerTrench® 100V , 50A , 15mÎ © N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 50A, 15mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Panasonic(松下)
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