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FDP26N40
1.07
FDP26N40 数据手册 (8 页)
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FDP26N40 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3

FDP26N40 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube

FDP26N40 数据手册

Freescale(飞思卡尔)
8 页 / 0.76 MByte

FDP26 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP2614  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 0.0229 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP26N40  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 400 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP26N40, 26 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
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