￥ 5.476

FDP2D3N10C 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-220

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 222 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDP2D3N10C 数据手册

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FDP2D3N10C 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0021 Ω

功耗

214 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

7980pF @50V(Vds)

下降时间

32 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2400 mW

FDP2D3N10C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

FDP2D3N10C 符合标准

FDP2D3N10C 数据手册

FDP2D3N10C 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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晶体管, MOSFET, N沟道, 222 A, 100 V, 0.0021 ohm, 10 V, 3 V

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