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FDP7N60NZ
1.816
FDP7N60NZ 数据手册 (10 页)
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FDP7N60NZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
147 W
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
550pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
147 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
147 W

FDP7N60NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDP7N60NZ 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.27 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.71 MByte

FDP7N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP7N60NZ  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 600 V, 1.05 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP7N60NZ, 6.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
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