￥ 3.487

FDP8030L 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

场效应管, MOSFET, N沟道, 187W, TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDP8030L 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDP8030L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0035 Ω

功耗

187 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

185 ns

输入电容值(Ciss)

10500pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

187 W

下降时间

200 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

187000 mW

查看数据手册 >

FDP8030L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

工作温度

-65℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

FDP8030L 符合标准

FDP8030L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.16 MByte

FDP8030L 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

21 页 / 0.73 MByte

FDP8030 数据手册

FDP8030L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8030L 场效应管, MOSFET, N沟道, 187W, TO-220-3

FDP8030L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

场效应管, MOSFET, N沟道, 187W, TO-220-3

FDP8030L_Q 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号