￥ 4.72

FDP8030L 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8030L 场效应管, MOSFET, N沟道, 187W, TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDP8030L 数据手册 (5 页)

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FDP8030L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

80.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0035 Ω

极性

N-Channel

功耗

187 W

阈值电压

1.5 V

输入电容

10.5 nF

栅电荷

120 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

185 ns

输入电容值(Ciss)

10500pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

187 W

下降时间

200 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

187W (Tc)

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FDP8030L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.3 mm

工作温度

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDP8030L 符合标准

FDP8030L 海关信息