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FDPF39N20TLDTU
1.217
FDPF39N20TLDTU 数据手册
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FDPF39N20TLDTU 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
340BM
上升时间
160 ns
输入电容值(Ciss)
1640pF @25V(Vds)
下降时间
150 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
37000 mW

FDPF39N20TLDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

FDPF39N20TLDTU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.61 MByte

FDPF39N20 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF39N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 200 V, 66 mohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF39N20, 39 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 200V 39A
Fairchild(飞兆/仙童)
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