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FDR8305N 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

晶体管

封装:

SMD-8

描述:

双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDR8305N 数据手册 (5 页)

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FDR8305N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

4.50 A

封装

SMD-8

漏源极电阻

22.0 mΩ

极性

Dual N-Channel

功耗

800 mW

输入电容

1.60 nF

栅电荷

16.2 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

-200 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

15.0 ns

输入电容值(Ciss)

1600pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

FDR8305N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDR8305N 符合标准

FDR8305N 海关信息

FDR8305N 数据手册

FDR8305N 产品描述及参数

Fairchild（飞兆/仙童）

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FDR8305 数据手册

FDR8305N 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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