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FDR8308P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SSOT-8

描述:

双P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDR8308P 数据手册 (5 页)

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FDR8308P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-3.20 A

封装

SSOT-8

漏源极电阻

50.0 mΩ

极性

Dual P-Channel

功耗

800 mW

输入电容

1.24 nF

栅电荷

13.0 nC

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

-20.0 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

3.20 A

上升时间

15.0 ns

输入电容值(Ciss)

1240pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

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FDR8308P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDR8308P 符合标准

FDR8308P 海关信息

FDR8308P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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FDR8308 数据手册

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Fairchild（飞兆/仙童）

双P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

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