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FDR8508P
器件3D模型
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FDR8508P 数据手册
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FDR8508P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
LSOP-8
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
750pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
800 mW
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
800 mW

FDR8508P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDR8508 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET
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