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FDR8508P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SSOT-8

描述:

双P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDR8508P 数据手册 (8 页)

封装尺寸在5 页 6 页 7 页

FDR8508P 数据手册 (8 页)

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FDR8508P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-3.00 A

封装

SSOT-8

漏源极电阻

40.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

800 mW

输入电容

750 pF

栅电荷

8.00 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

-30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.00 A

上升时间

14.0 ns

输入电容值(Ciss)

750pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

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FDR8508P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDR8508P 符合标准

FDR8508P 海关信息

FDR8508P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.26 MByte

FDR8508P 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.12 MByte

FDR8508 数据手册

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