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FDS4141_F085
器件3D模型
1.083
FDS4141_F085 数据手册 (6 页)
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FDS4141_F085 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.0105 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.6 W
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40 V
连续漏极电流(Ids)
10.8A
上升时间
4.4 ns
输入电容值(Ciss)
2005pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
1.6 W
下降时间
11.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.6W (Ta)

FDS4141_F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.575 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS4141_F085 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.21 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.32 MByte

FDS4141 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4141  晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.011 ohm, -10 V, -1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS4141, 10.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4141_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.0105 ohm, -10 V, -1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, P沟道, -10.8 A, -40 V, 0.0105 ohm, -10 V, -1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
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